深圳市沙贝克电子科技有限公司

M*FJ177LT1G ON品牌直线*

**:否 品牌/商标:0N/安森美 型号/规格:M*FJ177LT1G 应用范围:放大 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCEO:30（V） 集电*允许电流ICM:0.1（A） 集电*耗散功率PCM:300（W） 截止频率fT:1（MHz） 结构:点接触型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装

低压MOS STM6960

封装外形:SMD(SO)/表面封装 型号/规格:STM6960 材料:N-FET硅N沟道 用途:L/功率放大 品牌/商标:SamHop/三合微 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

供应肖特基*R3045* TO-220

产品类型:肖特基管 品牌/商标:Vishay/威世通 型号/规格:*R3045* 结构:肖特基 材料:锗(Ge) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 功率特性:*率 频率特性:中频 发光颜色:电压控制 LED封装:其他 出光面特征:其他 发光强度角分布:其他 反向电压VR:450（V） 正向直流电流IF:30（A）

STM6960 三合微*代理

品牌/商标:SAMHOP/三合微科 型号/规格:STM6960 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-N-FET锗N沟道